%0 Journal Article
%A 陈辉1
%A 2
%A 3
%A 翟慧杰1
%A 张雷4
%A 吕金星1
%A 冯飞洋1
%T 冲击载荷作用下数码电子雷管损伤研究
%D 2025
%R 
%J 振动与冲击
%P 256-268
%V 44
%N 20
%X 为降低爆破中电子雷管的拒爆率，研究爆破过程中产生的冲击载荷对电子雷管芯片的影响，进而对电子雷管起爆产生影响。开展水下爆破冲击预实验和ANSYS-LS/DYNA数值模拟，对不同爆破强度、距爆源距离和爆破方式下电子雷管受到的损伤定性、定量研究，进而提出环间延时起爆可以减少电子雷管芯片损伤。结果表明：（1）爆源RDX用量越多，电子雷管芯片的检测电流越低，受损伤程度越大；（2）距离爆源越远，CDI电容丢失电荷越少，增加冲击距离可以有效降低爆破产生的冲击应力对电子雷管芯片的损伤；（3）通过分析芯片损伤机理，利用多元线性回归分析方法，构建芯片损伤程度与爆源能量及距离的回归模型；（4）环间延时4 ms起爆效果最佳，能够有效减少电子雷管损伤程度，降低拒爆率。深入剖析电子雷管在爆破过程中受到的损伤，有助于提升我国爆破工程安全，提高爆破效率。<br>
%U https://jvs.sjtu.edu.cn/CN/abstract/article_14556.shtml